DRAM存储器概念分析：周二早盘报跌，兆易创新跌6.5%

7月6日早盘分析，截至发稿时，DRAM存储器概念报跌，兆易创新（-6.477%）领跌， 北京君正（-3.131%）、深科技（-2.139%）、华天科技（-1.434%）等个股纷纷跟跌。相关DRAM存储器概念股有：

兆易创新：公司汇集和培养了一批国内在半导体存储器领域尤其Flash技术、产品和管理领域的优秀人才。

北京君正：北京矽成系ISSI、ISSICayman以及SIENCayman的母公司，ISSI、ISSICayman以及SIENCayman主营各类型高性能DRAM、SRAM、FLASH存储芯片。

深科技：在集成电路半导体封装测试领域，公司是集成电路零件封装和测试服务制造商，拥有行业领先的高端封装技术能力，尤其在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术，为国内最大的独立DRAM内存芯片封装测试企业，也是国内为数不多的能够实现封装测试技术自主可控的内资企业。

华天科技：项目总投资80亿元，分三期建设，主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。

太极实业：海力士是以生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器产品为主的半导体厂商，目前在韩国有一条8英寸晶圆生产线和两条12英寸晶圆生产线，在中国无锡有一条12英寸晶圆生产线。

本文选取数据仅作为参考，并不能全面、准确地反映任何一家企业的未来，并不构成投资建议，据此操作，风险自担。